میدان مغناطیسی و الکتریکی

اگرفرض شود که میدان مغناطیسی و الکتریکی مقدار انرژی برابری را حمل میکنند .در نتیجه تابش تابش جذب شده ، سبب افزایش بیش از حد انرژی ذرات باردار، مانند انرژی جنبشی الکترون های آزاد و انرژی برانگیختگی الکترون های پیوند میشوند . وقتی الکترون ارتعاش میکند ، یا دوباره در همه جهات تابش می کند یا توسط فوتون ها ی شبکه مهارمیشوند (انرژی اتصال در داخل جامدات یا مایعات ) ،که در این صورت به این دلبل که تابشی رخ نداده است ، اثری جذب شده است . در این مورد /اخر فوتون ها باعث ارتعاش ساختارخواهند شد و این ارتعاش میتواند با توجه به اتصال های مولکول های ساختار به صورت گرما نمایان میشوند . (  مادربرد دستگاه لیزر و میدان مغناطیسی  )

حالت ذوب ماده

اگر انرژی به اندازه کافی جذب شوند ، ارتعاشات به قدری زیاد میشوند که پیوند مولکولی کشیده شده و ماده دیگر نمیتواند استحکام مکانیکی خود را حفظ کند ، در این حالت ماده ذوب میشود . گرمایش بیش تر به علت ارتعاشات مولکولی قوی باعث سست تر شدن پیوند شده و ماده تبخیر میشود . بخار هنوز قادر به جذب تابش میباشد ،  (  مادربرد دستگاه لیزر و میدان مغناطیسی  )اما به دلیل اینکه تنها الکترون ها پیوند دارند ، مقدار آن کم میباشد . با جذب کافی ، الکترون ها ، آزاد میشوند و پلاسما تشکیل میشود . اگر چگالی الکترون های آزاد به اندازه کافی زیاد باشد ، پلاسما میتواند به شدت جاذب باشد . چگالی الکترون در پلاسما به وسیله معادلاتی از قبیل معادله ساها بدست میآید ، که فرض میکند در پلاسما تعلدل گرمایی وجود دارد . تغییرات انرژی آزاد رامیتوان با استفاده از اصول مرسوم ترمودینامیک محاسبه کرد ، که لزوما با پالس های کوتاه لیز هم اندازه نیست.